IPD053N06N
IC
TO-252-3
可供量大可议
IPD053N06N
特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化， 例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅镀铅， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
TO-252-3
库存
300
货期
现货
IPD053N06N参数
| 封装 | TO-252-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 300 |
IPD053N06N概述
特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化， 例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅镀铅， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
IPD053N06N特性
暂无产品特性。
IPD053N06N应用领域
暂无应用领域。