IPD04N03LBG-HXY

该N沟道MOSFET具有100A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至3.8毫欧。 其低RDS(on)特性有助于减少导通损耗， 提升系统效率， 在高电流开关应用中表现优异。 器件适用于对功率密度和热性能要求较高的场合， 可有效支持电源管理、电机驱动及各类高效能电子设备中的功率转换需求。