IPD048N06L3 G
IC
TO-252
可供量大可议
IPD048N06L3 G
特性：适用于高频开关和同步整流。 针对 DC/DC 转换器进行了技术优化。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道， 逻辑电平。 100% 雪崩测试。 无铅电镀； 符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证
品牌
Infineon
封装
TO-252
库存
41
货期
现货
IPD048N06L3 G参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 41 |
IPD048N06L3 G概述
特性：适用于高频开关和同步整流。 针对 DC/DC 转换器进行了技术优化。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道， 逻辑电平。 100% 雪崩测试。 无铅电镀； 符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证
IPD048N06L3 G特性
暂无产品特性。
IPD048N06L3 G应用领域
暂无应用领域。