IPD047N03LF2SATMA1-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IPD047N03LF2SATMA1-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具备100A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为3.8毫欧。 低导通电阻显著降低导通状态下的功率损耗， 提升整体能效， 适用于高电流、高效率要求的电源转换、电池管理系统及大功率电子负载等场景。 其电气特性支持在高频开关条件下保持稳定工作， 适合对热性能和空间布局有严苛要求的电路设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
56
货期
现货
IPD047N03LF2SATMA1-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 56 |
IPD047N03LF2SATMA1-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具备100A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为3.8毫欧。 低导通电阻显著降低导通状态下的功率损耗， 提升整体能效， 适用于高电流、高效率要求的电源转换、电池管理系统及大功率电子负载等场景。 其电气特性支持在高频开关条件下保持稳定工作， 适合对热性能和空间布局有严苛要求的电路设计。
IPD047N03LF2SATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPD047N03LF2SATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。