IPD040N03LGBTMA1-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IPD040N03LGBTMA1-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为3毫欧。 低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗， 提升整体能效， 同时支持大电流持续工作。 适用于高效率电源转换、电机控制、电池管理系统以及对热性能和开关特性要求较高的电子设备中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
98
货期
现货
IPD040N03LGBTMA1-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
IPD040N03LGBTMA1-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为3毫欧。 低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗， 提升整体能效， 同时支持大电流持续工作。 适用于高效率电源转换、电机控制、电池管理系统以及对热性能和开关特性要求较高的电子设备中。
IPD040N03LGBTMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPD040N03LGBTMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。