IPD035N06L3GATMA1-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IPD035N06L3GATMA1-HXY
该N沟道场效应管最大漏极电流达130A, 漏源击穿电压为60V, 导通电阻仅为3毫欧, 栅源耐压20V。 极低内阻显著降低大电流下的导通损耗与发热。 适用于高性能服务器电源、大容量储能系统切换及高功率电机驱动等场景, 能在严苛负载条件下维持高效电能传输与稳定电路控制。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
36
货期
现货
IPD035N06L3GATMA1-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 36 |
IPD035N06L3GATMA1-HXY概述
该N沟道场效应管最大漏极电流达130A, 漏源击穿电压为60V, 导通电阻仅为3毫欧, 栅源耐压20V。 极低内阻显著降低大电流下的导通损耗与发热。 适用于高性能服务器电源、大容量储能系统切换及高功率电机驱动等场景, 能在严苛负载条件下维持高效电能传输与稳定电路控制。
IPD035N06L3GATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPD035N06L3GATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
