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IPD035N06L3GATMA1-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

IPD035N06L3GATMA1-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流达130A, 漏源击穿电压为60V, 导通电阻仅为3毫欧, 栅源耐压20V。 极低内阻显著降低大电流下的导通损耗与发热。 适用于高性能服务器电源、大容量储能系统切换及高功率电机驱动等场景, 能在严苛负载条件下维持高效电能传输与稳定电路控制。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

36

货期

现货

IPD035N06L3GATMA1-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存36

IPD035N06L3GATMA1-HXY概述

该N沟道场效应管最大漏极电流达130A, 漏源击穿电压为60V, 导通电阻仅为3毫欧, 栅源耐压20V。 极低内阻显著降低大电流下的导通损耗与发热。 适用于高性能服务器电源、大容量储能系统切换及高功率电机驱动等场景, 能在严苛负载条件下维持高效电能传输与稳定电路控制。

IPD035N06L3GATMA1-HXY特性

暂无产品特性。

IPD035N06L3GATMA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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