IPD034N06N3GATMA1-JSM
IC
TO-252-2
可供量大可议
IPD034N06N3GATMA1-JSM
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：100A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：2.8mR @20A, 10V
品牌
JSMSEMI
封装
TO-252-2
库存
499
货期
现货
IPD034N06N3GATMA1-JSM参数
| 封装 | TO-252-2 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 499 |
IPD034N06N3GATMA1-JSM概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：100A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：2.8mR @20A, 10V
IPD034N06N3GATMA1-JSM特性
暂无产品特性。
IPD034N06N3GATMA1-JSM应用领域
暂无应用领域。