IPD034N06N3GATMA1-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IPD034N06N3GATMA1-HXY
该N沟道场效应管最大漏极电流为130A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻低至3毫欧, 栅源电压耐受20V。 低导通阻抗特性使其在大电流切换时损耗显著降低, 适用于服务器电源、电池管理系统及高性能电机驱动等场景。 器件在高频开关应用中表现稳定, 能有效提升电源转换效率并优化热管理设计, 满足高功率密度电子设备的严苛需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
34
货期
现货
IPD034N06N3GATMA1-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 34 |
IPD034N06N3GATMA1-HXY概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为130A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻低至3毫欧, 栅源电压耐受20V。 低导通阻抗特性使其在大电流切换时损耗显著降低, 适用于服务器电源、电池管理系统及高性能电机驱动等场景。 器件在高频开关应用中表现稳定, 能有效提升电源转换效率并优化热管理设计, 满足高功率密度电子设备的严苛需求。
IPD034N06N3GATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPD034N06N3GATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
