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IPD034N06N3GATMA1-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

IPD034N06N3GATMA1-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为130A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻低至3毫欧, 栅源电压耐受20V。 低导通阻抗特性使其在大电流切换时损耗显著降低, 适用于服务器电源、电池管理系统及高性能电机驱动等场景。 器件在高频开关应用中表现稳定, 能有效提升电源转换效率并优化热管理设计, 满足高功率密度电子设备的严苛需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

34

货期

现货

IPD034N06N3GATMA1-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存34

IPD034N06N3GATMA1-HXY概述

该N沟道场效应管最大漏极电流为130A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻低至3毫欧, 栅源电压耐受20V。 低导通阻抗特性使其在大电流切换时损耗显著降低, 适用于服务器电源、电池管理系统及高性能电机驱动等场景。 器件在高频开关应用中表现稳定, 能有效提升电源转换效率并优化热管理设计, 满足高功率密度电子设备的严苛需求。

IPD034N06N3GATMA1-HXY特性

暂无产品特性。

IPD034N06N3GATMA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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