IPD034N06N3G-VB
IC
TO-252
可供量大可议
IPD034N06N3G-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N沟道场效应晶体管， 采用Trench工艺， 适用于需要中等功率、中等电流的电子系统， 如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。 TO252； N—Channel沟道, 60V； 97A； RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
38
货期
现货
IPD034N06N3G-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 38 |
IPD034N06N3G-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N沟道场效应晶体管， 采用Trench工艺， 适用于需要中等功率、中等电流的电子系统， 如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。 TO252； N—Channel沟道, 60V； 97A； RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
IPD034N06N3G-VB特性
暂无产品特性。
IPD034N06N3G-VB应用领域
暂无应用领域。