IPD033N06NATMA1-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IPD033N06NATMA1-HXY
该N沟道场效应管额定漏极电流130A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻3毫欧, 栅源耐压20V。 低导通电阻特性使其在大电流路径中功耗极低, 适用于高性能服务器电源、储能变流器及大功率电机驱动。 参数表明器件能在高负载下保持高效开关动作, 适合对热管理和能效比有严格要求的精密电子设备, 确保系统在持续大电流工况下的稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
45
货期
现货
IPD033N06NATMA1-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45 |
IPD033N06NATMA1-HXY概述
该N沟道场效应管额定漏极电流130A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻3毫欧, 栅源耐压20V。 低导通电阻特性使其在大电流路径中功耗极低, 适用于高性能服务器电源、储能变流器及大功率电机驱动。 参数表明器件能在高负载下保持高效开关动作, 适合对热管理和能效比有严格要求的精密电子设备, 确保系统在持续大电流工况下的稳定运行。
IPD033N06NATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPD033N06NATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
