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IPD033N06NATMA1-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

IPD033N06NATMA1-HXY

该N沟道场效应管额定漏极电流130A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻3毫欧, 栅源耐压20V。 低导通电阻特性使其在大电流路径中功耗极低, 适用于高性能服务器电源、储能变流器及大功率电机驱动。 参数表明器件能在高负载下保持高效开关动作, 适合对热管理和能效比有严格要求的精密电子设备, 确保系统在持续大电流工况下的稳定运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

45

货期

现货

IPD033N06NATMA1-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存45

IPD033N06NATMA1-HXY概述

该N沟道场效应管额定漏极电流130A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻3毫欧, 栅源耐压20V。 低导通电阻特性使其在大电流路径中功耗极低, 适用于高性能服务器电源、储能变流器及大功率电机驱动。 参数表明器件能在高负载下保持高效开关动作, 适合对热管理和能效比有严格要求的精密电子设备, 确保系统在持续大电流工况下的稳定运行。

IPD033N06NATMA1-HXY特性

暂无产品特性。

IPD033N06NATMA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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