IPD031N03LG-VB
IC
TO-252
可供量大可议
IPD031N03LG-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单体N沟道MOSFET， 采用Trench技术， 适用于汽车电子、电池管理和电源逆变等需要高功率和高性能的应用场合。 TO252； N—Channel沟道, 30V； 120A； RDS(ON)=2.3mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~2.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
59
货期
现货
IPD031N03LG-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 59 |
IPD031N03LG-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单体N沟道MOSFET， 采用Trench技术， 适用于汽车电子、电池管理和电源逆变等需要高功率和高性能的应用场合。 TO252； N—Channel沟道, 30V； 120A； RDS(ON)=2.3mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~2.5V
IPD031N03LG-VB特性
暂无产品特性。
IPD031N03LG-VB应用领域
暂无应用领域。