IPD031N03LG
IC
TO-252
可供量大可议
IPD031N03LG
特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。 为DC/DC转换器优化的技术。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道， 逻辑电平。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 雪崩额定。 无铅电镀； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
TO-252
库存
52
货期
现货
IPD031N03LG参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 52 |
IPD031N03LG概述
特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。 为DC/DC转换器优化的技术。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道， 逻辑电平。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 雪崩额定。 无铅电镀； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
IPD031N03LG特性
暂无产品特性。
IPD031N03LG应用领域
暂无应用领域。