IPD028N06NF2SATMA1
IC
TO-252-3
可供量大可议
IPD028N06NF2SATMA1
特性:针对广泛的应用进行了优化。 N沟道, 正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀铅; 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准, 无卤
品牌
Infineon
封装
TO-252-3
库存
48
货期
现货
IPD028N06NF2SATMA1参数
| 封装 | TO-252-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
IPD028N06NF2SATMA1概述
特性:针对广泛的应用进行了优化。 N沟道, 正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀铅; 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准, 无卤
IPD028N06NF2SATMA1特性
暂无产品特性。
IPD028N06NF2SATMA1应用领域
暂无应用领域。
