IPC90N04S5L3R3ATMA1-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
IPC90N04S5L3R3ATMA1-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有130A的连续漏极电流（ID）、40V的漏源击穿电压（VDSS）， 以及低至2.8毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 其低导通电阻有效减少功率损耗和发热， 适合在高电流密度环境下运行。 典型应用包括大功率直流电源、高效同步整流电路、电动工具驱动单元及高频率开关电源等场合， 能够满足对电气性能和热稳定性要求较高的设计需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
49
货期
现货
IPC90N04S5L3R3ATMA1-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 49 |
IPC90N04S5L3R3ATMA1-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有130A的连续漏极电流（ID）、40V的漏源击穿电压（VDSS）， 以及低至2.8毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 其低导通电阻有效减少功率损耗和发热， 适合在高电流密度环境下运行。 典型应用包括大功率直流电源、高效同步整流电路、电动工具驱动单元及高频率开关电源等场合， 能够满足对电气性能和热稳定性要求较高的设计需求。
IPC90N04S5L3R3ATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPC90N04S5L3R3ATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。