IPC100N04S5L1R1ATMA1-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
IPC100N04S5L1R1ATMA1-HXY
该N沟道MOSFET具有40V的漏源击穿电压（VDSS）， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）低至1.2毫欧， 可支持高达219A的连续漏极电流（ID）。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升系统效率， 适用于对功率密度和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高频开关等应用场景。 器件结构优化了开关特性， 在大电流工作条件下仍能保持稳定可靠的性能表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
96
货期
现货
IPC100N04S5L1R1ATMA1-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 96 |
IPC100N04S5L1R1ATMA1-HXY概述
该N沟道MOSFET具有40V的漏源击穿电压（VDSS）， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）低至1.2毫欧， 可支持高达219A的连续漏极电流（ID）。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升系统效率， 适用于对功率密度和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高频开关等应用场景。 器件结构优化了开关特性， 在大电流工作条件下仍能保持稳定可靠的性能表现。
IPC100N04S5L1R1ATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPC100N04S5L1R1ATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。