IPC100N04S5L-1R1-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
IPC100N04S5L-1R1-HXY
该N沟道MOSFET具有40V的漏源击穿电压（VDSS）， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）低至1.2毫欧， 可支持高达219A的连续漏极电流（ID）。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升系统效率， 适用于对功率密度和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高电流开关等应用场景。 器件采用标准封装形式， 便于集成于各类高效率电力电子电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
96
货期
现货
IPC100N04S5L-1R1-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 96 |
IPC100N04S5L-1R1-HXY概述
该N沟道MOSFET具有40V的漏源击穿电压（VDSS）， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）低至1.2毫欧， 可支持高达219A的连续漏极电流（ID）。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升系统效率， 适用于对功率密度和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高电流开关等应用场景。 器件采用标准封装形式， 便于集成于各类高效率电力电子电路中。
IPC100N04S5L-1R1-HXY特性
暂无产品特性。
IPC100N04S5L-1R1-HXY应用领域
暂无应用领域。