IPB80N06S407ATMA1-HXY
IC
TO-263
可供量大可议
IPB80N06S407ATMA1-HXY
这款N沟道场效应管专为高效功率管理设计, 其核心优势在于极低的导通电阻与高电流承载能力的结合。 在10V栅极驱动下, 导通电阻低至5.8mΩ, 能有效降低导通损耗与器件温升, 确保系统在高负载下的稳定性。 它可连续通过80A电流, 耐压值为60V, 为各类电源设计提供了充足的电压余量。 该器件非常适合作为反激、正激等拓扑开关电源的主开关管, 尤其适用于48V及以下的中大功率电源模块。 在电池管理系统中, 它可作为充放电回路的控制开关, 凭借其低内阻特性, 能显著延长电池续航。 同时, 它也常用于驱动各类大功率负载, 如照明系统、泵阀与散热风扇, 实现快速、无火花的电子开关控制。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263
库存
12
货期
现货
IPB80N06S407ATMA1-HXY参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 12 |
IPB80N06S407ATMA1-HXY概述
这款N沟道场效应管专为高效功率管理设计, 其核心优势在于极低的导通电阻与高电流承载能力的结合。 在10V栅极驱动下, 导通电阻低至5.8mΩ, 能有效降低导通损耗与器件温升, 确保系统在高负载下的稳定性。 它可连续通过80A电流, 耐压值为60V, 为各类电源设计提供了充足的电压余量。 该器件非常适合作为反激、正激等拓扑开关电源的主开关管, 尤其适用于48V及以下的中大功率电源模块。 在电池管理系统中, 它可作为充放电回路的控制开关, 凭借其低内阻特性, 能显著延长电池续航。 同时, 它也常用于驱动各类大功率负载, 如照明系统、泵阀与散热风扇, 实现快速、无火花的电子开关控制。
IPB80N06S407ATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPB80N06S407ATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
