IPB80N04S2H4ATMA2
IC
TO-263-3
可供量大可议
IPB80N04S2H4ATMA2
特性：N沟道。 增强模式。 符合汽车级AEC Q101标准。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 工作温度为175℃。 超低导通电阻。 100%雪崩测试。 环保产品（符合RoHS标准）
品牌
Infineon
封装
TO-263-3
库存
3
货期
现货
IPB80N04S2H4ATMA2参数
| 封装 | TO-263-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
IPB80N04S2H4ATMA2概述
特性：N沟道。 增强模式。 符合汽车级AEC Q101标准。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 工作温度为175℃。 超低导通电阻。 100%雪崩测试。 环保产品（符合RoHS标准）
IPB80N04S2H4ATMA2特性
暂无产品特性。
IPB80N04S2H4ATMA2应用领域
暂无应用领域。