IPB70N10S3-12-JSM
IC
TO-263
可供量大可议
IPB70N10S3-12-JSM
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：70A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：9mR @20A, 10V
Brand
JSMSEMI
Package
TO-263
Stock
100
货期
现货
IPB70N10S3-12-JSMParameters
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
IPB70N10S3-12-JSM概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：70A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：9mR @20A, 10V
IPB70N10S3-12-JSM特性
暂无产品特性。
IPB70N10S3-12-JSM应用领域
暂无应用领域。