库存与价格 最近更新:2026年10月8日 02:13(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
IPB65R065C7
IC

TO-263-3

可供量大可议

IPB65R065C7

高压功率MOSFET, 采用超结技术, 具备高效、低栅极电荷、易驱动和高可靠性特点

品牌

Infineon

封装

TO-263-3

库存

1

货期

现货

IPB65R065C7参数

封装TO-263-3
品牌Infineon(英飞凌)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存1

IPB65R065C7概述

高压功率MOSFET, 采用超结技术, 具备高效、低栅极电荷、易驱动和高可靠性特点

IPB65R065C7特性

暂无产品特性。

IPB65R065C7应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件