IPB60R099P7ATMA1
IC
TO-263-3
可供量大可议
IPB60R099P7ATMA1
CoolMOS 第 7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术， 根据超结（SJ）原理设计。 它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性， 例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。 此外， 极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
Brand
Infineon
Package
TO-263-3
Stock
78
货期
现货
IPB60R099P7ATMA1Parameters
| 封装 | TO-263-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 78 |
IPB60R099P7ATMA1概述
CoolMOS 第 7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术， 根据超结（SJ）原理设计。 它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性， 例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。 此外， 极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
IPB60R099P7ATMA1特性
暂无产品特性。
IPB60R099P7ATMA1应用领域
暂无应用领域。