IPB60R099C7ATMA1
IC
TO-263
可供量大可议
IPB60R099C7ATMA1
CoolMOS C7 是高压功率 MOSFET 的一项革命性技术， 它基于超结（SJ）原理设计。 600V CoolMOS C7 系列融合了领先 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新。 600V C7 是首款导通电阻（RDS(on)）与芯片面积（A）乘积低于 10 mΩ·mm² 的技术
品牌
Infineon
封装
TO-263
库存
1
货期
现货
IPB60R099C7ATMA1参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
IPB60R099C7ATMA1概述
CoolMOS C7 是高压功率 MOSFET 的一项革命性技术， 它基于超结（SJ）原理设计。 600V CoolMOS C7 系列融合了领先 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新。 600V C7 是首款导通电阻（RDS(on)）与芯片面积（A）乘积低于 10 mΩ·mm² 的技术
IPB60R099C7ATMA1特性
暂无产品特性。
IPB60R099C7ATMA1应用领域
暂无应用领域。