IPB60R080P7ATMA1

第7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术， 根据超结（SJ）原理设计。 它结合了快速开关SJ MOSFET的优点， 具有出色的易用性， 如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。 此外， 极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和低温。