IPB320P10LMATMA1
IC
TO-263-3
可供量大可议
IPB320P10LMATMA1
特性：P沟道。 极低导通电阻Ros(on)， VGS = 4.5 V， 100%雪崩测试。 逻辑电平。 增强模式。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
TO-263-3
库存
1
货期
现货
IPB320P10LMATMA1参数
| 封装 | TO-263-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
IPB320P10LMATMA1概述
特性：P沟道。 极低导通电阻Ros(on)， VGS = 4.5 V， 100%雪崩测试。 逻辑电平。 增强模式。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
IPB320P10LMATMA1特性
暂无产品特性。
IPB320P10LMATMA1应用领域
暂无应用领域。