IPB22N03S4L-15-VB
IC
TO-263(D2PAK)
可供量大可议
IPB22N03S4L-15-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极性N沟道场效应管， 采用Trench工艺制造， 适用于需要较高功率和电流的应用场合， 能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。 TO263； N—Channel沟道, 30V； 50A； RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
品牌
VBsemi
封装
TO-263(D2PAK)
库存
15
货期
现货
IPB22N03S4L-15-VB参数
| 封装 | TO-263(D2PAK) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
IPB22N03S4L-15-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极性N沟道场效应管， 采用Trench工艺制造， 适用于需要较高功率和电流的应用场合， 能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。 TO263； N—Channel沟道, 30V； 50A； RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
IPB22N03S4L-15-VB特性
暂无产品特性。
IPB22N03S4L-15-VB应用领域
暂无应用领域。