IPB200N25N3G
IC
TO-263-3
可供量大可议
IPB200N25N3G
特性：N沟道， 正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 按照IEC61249-2-21标准为无卤产品。 适用于高频开关和同步整流
品牌
Infineon
封装
TO-263-3
库存
1,367
货期
现货
IPB200N25N3G参数
| 封装 | TO-263-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1367 |
IPB200N25N3G概述
特性：N沟道， 正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 按照IEC61249-2-21标准为无卤产品。 适用于高频开关和同步整流
IPB200N25N3G特性
暂无产品特性。
IPB200N25N3G应用领域
暂无应用领域。