IPB19DP10NMATMA1-VB
IC
D2PAK(TO-263)
可供量大可议
IPB19DP10NMATMA1-VB
台积电流片， 长电科技封装； TO263； P—Channel沟道； -100V； -12A； RDS(ON)=200(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=-2V； 采用Trench技术
品牌
VBsemi
封装
D2PAK(TO-263)
库存
9
货期
现货
IPB19DP10NMATMA1-VB参数
| 封装 | D2PAK(TO-263) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9 |
IPB19DP10NMATMA1-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； TO263； P—Channel沟道； -100V； -12A； RDS(ON)=200(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=-2V； 采用Trench技术
IPB19DP10NMATMA1-VB特性
暂无产品特性。
IPB19DP10NMATMA1-VB应用领域
暂无应用领域。