IPB19DP10NMATMA1
IC
TO-263-3
可供量大可议
IPB19DP10NMATMA1
特性：P沟道。 100%雪崩测试。 正常电平。 增强模式。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据IEC61248-2-21无卤
品牌
Infineon
封装
TO-263-3
库存
51
货期
现货
IPB19DP10NMATMA1参数
| 封装 | TO-263-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 51 |
IPB19DP10NMATMA1概述
特性：P沟道。 100%雪崩测试。 正常电平。 增强模式。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据IEC61248-2-21无卤
IPB19DP10NMATMA1特性
暂无产品特性。
IPB19DP10NMATMA1应用领域
暂无应用领域。