IPB180P04P4L-02
IC
TO-263-7
可供量大可议
IPB180P04P4L-02
特性：P沟道。 逻辑电平。 增强模式。 AEC认证。 MSL1， 最高峰值回流温度260℃。 工作温度175℃。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试。 用于反接电池保护
品牌
Infineon
封装
TO-263-7
库存
328
货期
现货
IPB180P04P4L-02参数
| 封装 | TO-263-7 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 328 |
IPB180P04P4L-02概述
特性：P沟道。 逻辑电平。 增强模式。 AEC认证。 MSL1， 最高峰值回流温度260℃。 工作温度175℃。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试。 用于反接电池保护
IPB180P04P4L-02特性
暂无产品特性。
IPB180P04P4L-02应用领域
暂无应用领域。