IPB180N10S403ATMA1-VB
IC
TO-263-7
可供量大可议
IPB180N10S403ATMA1-VB
台积电流片， 长电科技封装； TO263-7L； N—Channel沟道； 100V； 180A； RDS(ON)=3(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=3V； 采用SGT技术
品牌
VBsemi
封装
TO-263-7
库存
10
货期
现货
IPB180N10S403ATMA1-VB参数
| 封装 | TO-263-7 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
IPB180N10S403ATMA1-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； TO263-7L； N—Channel沟道； 100V； 180A； RDS(ON)=3(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=3V； 采用SGT技术
IPB180N10S403ATMA1-VB特性
暂无产品特性。
IPB180N10S403ATMA1-VB应用领域
暂无应用领域。