IPB180N10S4-02-VB
IC
TO-263-7L
可供量大可议
IPB180N10S4-02-VB
SGT； TO263-7L； N—Channel沟道, 100V； 180A； RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=3V
品牌
VBsemi
封装
TO-263-7L
库存
5
货期
现货
IPB180N10S4-02-VB参数
| 封装 | TO-263-7L |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
IPB180N10S4-02-VB概述
SGT； TO263-7L； N—Channel沟道, 100V； 180A； RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=3V
IPB180N10S4-02-VB特性
暂无产品特性。
IPB180N10S4-02-VB应用领域
暂无应用领域。