IPB180N08S4-02
IC
TO-263-7
可供量大可议
IPB180N08S4-02
特性：N沟道。 增强模式。 AEC Q101认证。 MSL1， 最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试。 超低导通电阻RDS(on)
品牌
Infineon
封装
TO-263-7
库存
757
货期
现货
IPB180N08S4-02参数
| 封装 | TO-263-7 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 757 |
IPB180N08S4-02概述
特性：N沟道。 增强模式。 AEC Q101认证。 MSL1， 最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试。 超低导通电阻RDS(on)
IPB180N08S4-02特性
暂无产品特性。
IPB180N08S4-02应用领域
暂无应用领域。