IPB117N20NFDATMA1
IC
TO-263
可供量大可议
IPB117N20NFDATMA1
特性：N 沟道， 正常电平。 快速二极管 (FD)， 降低 Qm。 针对硬换向耐用性进行优化。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅， 符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
品牌
Infineon
封装
TO-263
库存
7
货期
现货
IPB117N20NFDATMA1参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7 |
IPB117N20NFDATMA1概述
特性：N 沟道， 正常电平。 快速二极管 (FD)， 降低 Qm。 针对硬换向耐用性进行优化。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅， 符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
IPB117N20NFDATMA1特性
暂无产品特性。
IPB117N20NFDATMA1应用领域
暂无应用领域。