IPB107N20N3G
IC
TO-263-3
可供量大可议
IPB107N20N3G
特性：N 沟道， 标准电平。 出色的栅极电荷 x 导通电阻 RDS(on) 乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃ 工作温度。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 认证， 适用于目标应用。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤。 适用于高频开关和同步整流
品牌
Infineon
封装
TO-263-3
库存
7,441
货期
现货
IPB107N20N3G参数
| 封装 | TO-263-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7441 |
IPB107N20N3G概述
特性：N 沟道， 标准电平。 出色的栅极电荷 x 导通电阻 RDS(on) 乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃ 工作温度。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 认证， 适用于目标应用。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤。 适用于高频开关和同步整流
IPB107N20N3G特性
暂无产品特性。
IPB107N20N3G应用领域
暂无应用领域。