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IPB100N10S305ATMA1-VB
IC

D2PAK(TO-263)

可供量大可议

IPB100N10S305ATMA1-VB

台积电流片, 长电科技封装; TO263; N—Channel沟道; 100V; 140A; RDS(ON)=4(mΩ)@VGS=10V; VGS=±20V; Vth=3V; 采用Trench技术

Brand

VBsemi

Package

D2PAK(TO-263)

Stock

5

货期

现货

IPB100N10S305ATMA1-VBParameters

封装D2PAK(TO-263)
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存5

IPB100N10S305ATMA1-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; TO263; N—Channel沟道; 100V; 140A; RDS(ON)=4(mΩ)@VGS=10V; VGS=±20V; Vth=3V; 采用Trench技术

IPB100N10S305ATMA1-VB特性

暂无产品特性。

IPB100N10S305ATMA1-VB应用领域

暂无应用领域。

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