IPB081N06L3 G
IC
TO-263-3
可供量大可议
IPB081N06L3 G
特性：适用于高频开关和同步整流。 针对DC/DC转换器进行了优化。 出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 N沟道， 逻辑电平。 100%雪崩测试。 无铅镀层， 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
TO-263-3
库存
2
货期
现货
IPB081N06L3 G参数
| 封装 | TO-263-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
IPB081N06L3 G概述
特性：适用于高频开关和同步整流。 针对DC/DC转换器进行了优化。 出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 N沟道， 逻辑电平。 100%雪崩测试。 无铅镀层， 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
IPB081N06L3 G特性
暂无产品特性。
IPB081N06L3 G应用领域
暂无应用领域。