IPB070N06NG-HXY
IC
TO-263
可供量大可议
IPB070N06NG-HXY
这款N沟道场效应管专为高效功率管理设计, 具备60V耐压值与80A持续电流处理能力。 其核心优势在于极低的5.8mΩ导通电阻, 配合20V的栅源电压驱动规格, 能有效降低导通损耗并减少发热, 确保系统在紧凑空间内的热稳定性。 在应用层面, 该器件非常契合大功率锂电池组的保护电路, 能够胜任充放电回路的通断控制。 同时, 它也是低压大功率开关电源及便携式储能设备的理想选择, 适用于各类直流负载开关场景, 为高电流传输提供可靠的硬件支持。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263
库存
23
货期
现货
IPB070N06NG-HXY参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 23 |
IPB070N06NG-HXY概述
这款N沟道场效应管专为高效功率管理设计, 具备60V耐压值与80A持续电流处理能力。 其核心优势在于极低的5.8mΩ导通电阻, 配合20V的栅源电压驱动规格, 能有效降低导通损耗并减少发热, 确保系统在紧凑空间内的热稳定性。 在应用层面, 该器件非常契合大功率锂电池组的保护电路, 能够胜任充放电回路的通断控制。 同时, 它也是低压大功率开关电源及便携式储能设备的理想选择, 适用于各类直流负载开关场景, 为高电流传输提供可靠的硬件支持。
IPB070N06NG-HXY特性
暂无产品特性。
IPB070N06NG-HXY应用领域
暂无应用领域。
