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IPB070N06NG-HXY
IC

TO-263

可供量大可议

IPB070N06NG-HXY

这款N沟道场效应管专为高效功率管理设计, 具备60V耐压值与80A持续电流处理能力。 其核心优势在于极低的5.8mΩ导通电阻, 配合20V的栅源电压驱动规格, 能有效降低导通损耗并减少发热, 确保系统在紧凑空间内的热稳定性。 在应用层面, 该器件非常契合大功率锂电池组的保护电路, 能够胜任充放电回路的通断控制。 同时, 它也是低压大功率开关电源及便携式储能设备的理想选择, 适用于各类直流负载开关场景, 为高电流传输提供可靠的硬件支持。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-263

库存

23

货期

现货

IPB070N06NG-HXY参数

封装TO-263
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存23

IPB070N06NG-HXY概述

这款N沟道场效应管专为高效功率管理设计, 具备60V耐压值与80A持续电流处理能力。 其核心优势在于极低的5.8mΩ导通电阻, 配合20V的栅源电压驱动规格, 能有效降低导通损耗并减少发热, 确保系统在紧凑空间内的热稳定性。 在应用层面, 该器件非常契合大功率锂电池组的保护电路, 能够胜任充放电回路的通断控制。 同时, 它也是低压大功率开关电源及便携式储能设备的理想选择, 适用于各类直流负载开关场景, 为高电流传输提供可靠的硬件支持。

IPB070N06NG-HXY特性

暂无产品特性。

IPB070N06NG-HXY应用领域

暂无应用领域。

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