IPB065N10N3G(UMW)
IC
TO-263
可供量大可议
IPB065N10N3G(UMW)
特性：VDS(V) = 100V。 ID = 80A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 6.2mΩ (VGS = 10V)。 非常适合高频开关和同步整流。 极低的导通电阻RDS(ON)。 175℃工作温度。 无铅引脚电镀。 出色的栅极电荷x RDS(ON)乘积（FOM）
品牌
UMW
封装
TO-263
库存
19
货期
现货
IPB065N10N3G(UMW)参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19 |
IPB065N10N3G(UMW)概述
特性：VDS(V) = 100V。 ID = 80A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 6.2mΩ (VGS = 10V)。 非常适合高频开关和同步整流。 极低的导通电阻RDS(ON)。 175℃工作温度。 无铅引脚电镀。 出色的栅极电荷x RDS(ON)乘积（FOM）
IPB065N10N3G(UMW)特性
暂无产品特性。
IPB065N10N3G(UMW)应用领域
暂无应用领域。