IPB060N15N5ATMA1
IC
TO-263-7-3
可供量大可议
IPB060N15N5ATMA1
特性：出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 极低的反向恢复电荷（Qrr）。 175℃工作温度。 无铅负载电镀； 符合RDL标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
TO-263-7-3
库存
2
货期
现货
IPB060N15N5ATMA1参数
| 封装 | TO-263-7-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
IPB060N15N5ATMA1概述
特性：出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 极低的反向恢复电荷（Qrr）。 175℃工作温度。 无铅负载电镀； 符合RDL标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准无卤
IPB060N15N5ATMA1特性
暂无产品特性。
IPB060N15N5ATMA1应用领域
暂无应用领域。