IPB049NE7N3G
IC
TO-263
可供量大可议
IPB049NE7N3G
特性：针对同步整流进行了技术优化。 适用于高频开关和 DC/DC 转换器。 出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）乘积。 极低的导通电阻 R_D(S(on))。 N 沟道， 标准电平。 100% 经过雪崩测试。 无铅电镀； 符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
品牌
Infineon
封装
TO-263
库存
10
货期
现货
IPB049NE7N3G参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
IPB049NE7N3G概述
特性：针对同步整流进行了技术优化。 适用于高频开关和 DC/DC 转换器。 出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）乘积。 极低的导通电阻 R_D(S(on))。 N 沟道， 标准电平。 100% 经过雪崩测试。 无铅电镀； 符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
IPB049NE7N3G特性
暂无产品特性。
IPB049NE7N3G应用领域
暂无应用领域。