IPB048N15N5LFATMA1
IC
TO-263-3
可供量大可议
IPB048N15N5LFATMA1
特性：适用于热插拔和电子保险丝应用。 极低的导通电阻RDS(on)。 宽安全工作区SOA。 N沟道， 正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀； 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
Brand
Infineon
Package
TO-263-3
Stock
30
货期
现货
IPB048N15N5LFATMA1Parameters
| 封装 | TO-263-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
IPB048N15N5LFATMA1概述
特性：适用于热插拔和电子保险丝应用。 极低的导通电阻RDS(on)。 宽安全工作区SOA。 N沟道， 正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀； 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
IPB048N15N5LFATMA1特性
暂无产品特性。
IPB048N15N5LFATMA1应用领域
暂无应用领域。