IPB044N15N5ATMA1-VB
IC
TO-263-7
可供量大可议
IPB044N15N5ATMA1-VB
台积电流片， 长电科技封装； TO263-7L； N—Channel沟道； 150V； 160A； RDS(ON)=5(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=3V； 采用SGT技术
品牌
VBsemi
封装
TO-263-7
库存
30
货期
现货
IPB044N15N5ATMA1-VB参数
| 封装 | TO-263-7 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
IPB044N15N5ATMA1-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； TO263-7L； N—Channel沟道； 150V； 160A； RDS(ON)=5(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=3V； 采用SGT技术
IPB044N15N5ATMA1-VB特性
暂无产品特性。
IPB044N15N5ATMA1-VB应用领域
暂无应用领域。