IPB042N10N3G
IC
TO-263-3
可供量大可议
IPB042N10N3G
场效应管(MOSFET) 214W 100V 137A 1个N沟道
品牌
Infineon
封装
TO-263-3
库存
12,218
货期
现货
IPB042N10N3G参数
| 封装 | TO-263-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 24+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 输入电容(Ciss) | 8.41nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 12,218 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 214W |
| 栅极电荷量(Qg) | 117nC |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF |
IPB042N10N3G概述
场效应管(MOSFET) 214W 100V 137A 1个N沟道
IPB042N10N3G特性
暂无产品特性。
IPB042N10N3G应用领域
暂无应用领域。