IPB038N12N3GATMA1
IC
TO-263-3
可供量大可议
IPB038N12N3GATMA1
特性：N 沟道， 正常电平。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准， 无卤素。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流
品牌
Infineon
封装
TO-263-3
库存
36
货期
现货
IPB038N12N3GATMA1参数
| 封装 | TO-263-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 36 |
IPB038N12N3GATMA1概述
特性：N 沟道， 正常电平。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准， 无卤素。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流
IPB038N12N3GATMA1特性
暂无产品特性。
IPB038N12N3GATMA1应用领域
暂无应用领域。