IPB035N08N3GATMA1
IC
TO-263-3
可供量大可议
IPB035N08N3GATMA1
特性：适用于高频开关和同步整流。 针对DC/DC转换器优化的技术。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道， 正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀层； 符合RoHS标准。 根据JEDEC针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
TO-263-3
库存
10
货期
现货
IPB035N08N3GATMA1参数
| 封装 | TO-263-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
IPB035N08N3GATMA1概述
特性：适用于高频开关和同步整流。 针对DC/DC转换器优化的技术。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道， 正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀层； 符合RoHS标准。 根据JEDEC针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
IPB035N08N3GATMA1特性
暂无产品特性。
IPB035N08N3GATMA1应用领域
暂无应用领域。