IPB034N06N3 G
IC
TO-263-6
可供量大可议
IPB034N06N3 G
特性：适用于同步整流、电机驱动和 DC/DC 开关电源。 出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道， 正常电平。 100% 雪崩测试。 符合 JEDEC 标准， 适用于目标应用。 无铅电镀， 符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
TO-263-6
库存
995
货期
现货
IPB034N06N3 G参数
| 封装 | TO-263-6 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 995 |
IPB034N06N3 G概述
特性：适用于同步整流、电机驱动和 DC/DC 开关电源。 出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道， 正常电平。 100% 雪崩测试。 符合 JEDEC 标准， 适用于目标应用。 无铅电镀， 符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
IPB034N06N3 G特性
暂无产品特性。
IPB034N06N3 G应用领域
暂无应用领域。