IPB033N10N5LF
IC
TO-263-3
可供量大可议
IPB033N10N5LF
特性：适用于热插拔和电子保险丝应用。 极低的导通电阻RDS(on)。 宽安全工作区SOA。 N沟道， 正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀层； 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
TO-263-3
库存
641
货期
现货
IPB033N10N5LF参数
| 封装 | TO-263-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 641 |
IPB033N10N5LF概述
特性：适用于热插拔和电子保险丝应用。 极低的导通电阻RDS(on)。 宽安全工作区SOA。 N沟道， 正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀层； 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
IPB033N10N5LF特性
暂无产品特性。
IPB033N10N5LF应用领域
暂无应用领域。