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IPB027N10N3GATMA1-HXY
IC

TO-263

可供量大可议

IPB027N10N3GATMA1-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为260A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻低至2.4毫欧, 栅源电压耐受范围为20V。 凭借低导通损耗与高电流承载能力, 器件适用于大电流开关场景, 如高性能电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元, 能有效提升系统效率并降低热管理需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-263

库存

24

货期

现货

IPB027N10N3GATMA1-HXY参数

封装TO-263
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存24

IPB027N10N3GATMA1-HXY概述

该N沟道场效应管最大漏极电流为260A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻低至2.4毫欧, 栅源电压耐受范围为20V。 凭借低导通损耗与高电流承载能力, 器件适用于大电流开关场景, 如高性能电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元, 能有效提升系统效率并降低热管理需求。

IPB027N10N3GATMA1-HXY特性

暂无产品特性。

IPB027N10N3GATMA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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