IPB027N10N3GATMA1-HXY
IC
TO-263
可供量大可议
IPB027N10N3GATMA1-HXY
该N沟道场效应管最大漏极电流为260A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻低至2.4毫欧, 栅源电压耐受范围为20V。 凭借低导通损耗与高电流承载能力, 器件适用于大电流开关场景, 如高性能电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元, 能有效提升系统效率并降低热管理需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263
库存
24
货期
现货
IPB027N10N3GATMA1-HXY参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 24 |
IPB027N10N3GATMA1-HXY概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为260A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻低至2.4毫欧, 栅源电压耐受范围为20V。 凭借低导通损耗与高电流承载能力, 器件适用于大电流开关场景, 如高性能电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元, 能有效提升系统效率并降低热管理需求。
IPB027N10N3GATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPB027N10N3GATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
