IPB027N10N3G
IC
TO-263
可供量大可议
IPB027N10N3G
N—Channel沟道, 󗙻 򏟋 򏟋 V, 󗙻 󗙻 򏟋 A, RDS(ON), 𢺫 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； 򘞟 Vth(V) 封装：TO򘞟 𮧂 򬓹
品牌
VBsemi
封装
TO-263
库存
30
货期
现货
IPB027N10N3G参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 22+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
IPB027N10N3G概述
N—Channel沟道, 󗙻 򏟋 򏟋 V, 󗙻 󗙻 򏟋 A, RDS(ON), 𢺫 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； 򘞟 Vth(V) 封装：TO򘞟 𮧂 򬓹
IPB027N10N3G特性
暂无产品特性。
IPB027N10N3G应用领域
暂无应用领域。