IPB026N10NF2SATMA1-HXY
IC
TO-263
可供量大可议
IPB026N10NF2SATMA1-HXY
该N沟道场效应管额定漏极电流为260A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻低至2.4毫欧, 栅源电压耐受值为20V。 凭借低导通损耗与高电流承载能力, 适用于大电流开关电源、电机驱动模块及高性能逆变器等场景, 能有效提升系统转换效率并降低热管理需求, 满足高功率密度电路设计对关键开关器件的严苛要求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263
库存
24
货期
现货
IPB026N10NF2SATMA1-HXY参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 24 |
IPB026N10NF2SATMA1-HXY概述
该N沟道场效应管额定漏极电流为260A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻低至2.4毫欧, 栅源电压耐受值为20V。 凭借低导通损耗与高电流承载能力, 适用于大电流开关电源、电机驱动模块及高性能逆变器等场景, 能有效提升系统转换效率并降低热管理需求, 满足高功率密度电路设计对关键开关器件的严苛要求。
IPB026N10NF2SATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPB026N10NF2SATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
