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IPB026N10NF2SATMA1-HXY
IC

TO-263

可供量大可议

IPB026N10NF2SATMA1-HXY

该N沟道场效应管额定漏极电流为260A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻低至2.4毫欧, 栅源电压耐受值为20V。 凭借低导通损耗与高电流承载能力, 适用于大电流开关电源、电机驱动模块及高性能逆变器等场景, 能有效提升系统转换效率并降低热管理需求, 满足高功率密度电路设计对关键开关器件的严苛要求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-263

库存

24

货期

现货

IPB026N10NF2SATMA1-HXY参数

封装TO-263
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存24

IPB026N10NF2SATMA1-HXY概述

该N沟道场效应管额定漏极电流为260A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻低至2.4毫欧, 栅源电压耐受值为20V。 凭借低导通损耗与高电流承载能力, 适用于大电流开关电源、电机驱动模块及高性能逆变器等场景, 能有效提升系统转换效率并降低热管理需求, 满足高功率密度电路设计对关键开关器件的严苛要求。

IPB026N10NF2SATMA1-HXY特性

暂无产品特性。

IPB026N10NF2SATMA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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